кремниевая литография

[jayrandom]

Кто мог бы простым языком для пешеходов объяснить, где именно в кремниевой литографии меряются 45nm, 22nm, 11nm и так далее?

Это толщина вафли? Толщина проводка? Минимальное расстояние между соседними проводками? Диаметр "транзистора"?

Спасибо.

Comments

[golger-i.livejournal.com]

1) Правильно, кроме добавления из пункта 2).
2) Транзистор - штука трёхмерная. Он в основном лежит в плоскости вафли, но у него есть и толщина, и в этой толщине - некоторая структура, несколько слоёв. Так вот чтобы он правильно работал, при уменьшении размеров в плоскости вафли (которые завязаны на литографию) нужно уменьшать и толщину (которая завязана на другие технологии; кроме того минимальная толщина слоя не может быть меньше одного слоя атомов, а мы к этому уже подходим).
Наводки из пункта 1) становятся более заметны, когда толщина становится "видна" с расстояния между транзисторами, то есть отношение толщины к рассоянию превушает какой-то барьер.
Минимальный линейный размер отдельно стояшего транзистора - примерно 8хПроцесс (8х22nm), частично это обусловлено и тем, что к нему надо подводить провода. Транзистор в цепи, где много транзисторов соединено друг с другом без проводов, можно сжать до 4х. В той же статье в Википедии даётся пример ячейки памяти из шести транзисторов размером 0.1мкм^2, это даёт линейный размер транзистора около 100nm, то есть около 5х22nm.

[jayrandom.livejournal.com]

Спасибо!

[b-my.livejournal.com]

Поправки.
1. Принципиальные (помимо прочих) проблемы с утоньшением классического КМОП начинаются задолго до 1 атомного слоя (его толщина - десятые нм, так что до этого далеко). Проблемы - с примесями (донорными и акцепторными) и их распределением. Если в транзисторе примесные атомы исчисляются уже в сотнях _штук,_ то зонная структура полупроводника (и работоспособность конкретного транзистора) слишком уже зависит от конкретного распределения - куда, как и сколько попало того фосфора или индия.
Уменьшение транзисторов - увеличение разброса их параметров даже при _идеальной_ технологии (чего, понятно, не бывает). Соответсвенно - уже фундаментальные проблемы с выходом годных чипов.

2. "Вертикальные" транзисторы от Интел.

3. "Наводки" зависят не только от толщины, диэлектрики в современных техпроцессах - давно уж не диоксид кремния.

[golger-i.livejournal.com]

Спасибо, первая идея действительно принципиальная, и я её позорно пропустил. 2 и 3, по-моему, не попадают в раздел "для пешеходов" :) но тоже не знал: последний раз я рисовал транзисторы на кремнии 12 лет назад.