Поправки. 1. Принципиальные (помимо прочих) проблемы с утоньшением классического КМОП начинаются задолго до 1 атомного слоя (его толщина - десятые нм, так что до этого далеко). Проблемы - с примесями (донорными и акцепторными) и их распределением. Если в транзисторе примесные атомы исчисляются уже в сотнях _штук,_ то зонная структура полупроводника (и работоспособность конкретного транзистора) слишком уже зависит от конкретного распределения - куда, как и сколько попало того фосфора или индия. Уменьшение транзисторов - увеличение разброса их параметров даже при _идеальной_ технологии (чего, понятно, не бывает). Соответсвенно - уже фундаментальные проблемы с выходом годных чипов.
2. "Вертикальные" транзисторы от Интел.
3. "Наводки" зависят не только от толщины, диэлектрики в современных техпроцессах - давно уж не диоксид кремния.
![[personal profile]](https://www.dreamwidth.org/img/silk/identity/user.png)
timeasmymeasure
no subject
Date: 2012-02-22 11:02 am (UTC)1. Принципиальные (помимо прочих) проблемы с утоньшением классического КМОП начинаются задолго до 1 атомного слоя (его толщина - десятые нм, так что до этого далеко). Проблемы - с примесями (донорными и акцепторными) и их распределением. Если в транзисторе примесные атомы исчисляются уже в сотнях _штук,_ то зонная структура полупроводника (и работоспособность конкретного транзистора) слишком уже зависит от конкретного распределения - куда, как и сколько попало того фосфора или индия.
Уменьшение транзисторов - увеличение разброса их параметров даже при _идеальной_ технологии (чего, понятно, не бывает). Соответсвенно - уже фундаментальные проблемы с выходом годных чипов.
2. "Вертикальные" транзисторы от Интел.
3. "Наводки" зависят не только от толщины, диэлектрики в современных техпроцессах - давно уж не диоксид кремния.