1) Правильно, кроме добавления из пункта 2). 2) Транзистор - штука трёхмерная. Он в основном лежит в плоскости вафли, но у него есть и толщина, и в этой толщине - некоторая структура, несколько слоёв. Так вот чтобы он правильно работал, при уменьшении размеров в плоскости вафли (которые завязаны на литографию) нужно уменьшать и толщину (которая завязана на другие технологии; кроме того минимальная толщина слоя не может быть меньше одного слоя атомов, а мы к этому уже подходим). Наводки из пункта 1) становятся более заметны, когда толщина становится "видна" с расстояния между транзисторами, то есть отношение толщины к рассоянию превушает какой-то барьер. Минимальный линейный размер отдельно стояшего транзистора - примерно 8хПроцесс (8х22nm), частично это обусловлено и тем, что к нему надо подводить провода. Транзистор в цепи, где много транзисторов соединено друг с другом без проводов, можно сжать до 4х. В той же статье в Википедии даётся пример ячейки памяти из шести транзисторов размером 0.1мкм^2, это даёт линейный размер транзистора около 100nm, то есть около 5х22nm.
no subject
Date: 2012-02-22 12:27 am (UTC)2) Транзистор - штука трёхмерная. Он в основном лежит в плоскости вафли, но у него есть и толщина, и в этой толщине - некоторая структура, несколько слоёв. Так вот чтобы он правильно работал, при уменьшении размеров в плоскости вафли (которые завязаны на литографию) нужно уменьшать и толщину (которая завязана на другие технологии; кроме того минимальная толщина слоя не может быть меньше одного слоя атомов, а мы к этому уже подходим).
Наводки из пункта 1) становятся более заметны, когда толщина становится "видна" с расстояния между транзисторами, то есть отношение толщины к рассоянию превушает какой-то барьер.
Минимальный линейный размер отдельно стояшего транзистора - примерно 8хПроцесс (8х22nm), частично это обусловлено и тем, что к нему надо подводить провода. Транзистор в цепи, где много транзисторов соединено друг с другом без проводов, можно сжать до 4х. В той же статье в Википедии даётся пример ячейки памяти из шести транзисторов размером 0.1мкм^2, это даёт линейный размер транзистора около 100nm, то есть около 5х22nm.